[发明专利]设定光刻掩模的图案元素的侧壁角度的方法和设备在审
| 申请号： | 202180046680.9 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115997166A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | D.里诺;J.韦尔特;M.鲍尔 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于一种用于设定光刻掩模(150，200，700)的至少一个图案元素(120，220，230，250，260，280，290)的至少一个侧壁角度(170，670，1970，2470，2770，2780)的方法(2800)，其包括以下步骤：(a)提供至少一个前驱气体；(b)提供至少一个大质量粒子束(910，1215，1515，1930，2120)，其引起该至少一个前驱气体的局部化学反应；以及(c)在该局部化学反应期间改变该粒子束(910，1215，1515，1930，2120)的至少一个参数和/或一制程参数，以设定该至少一个图案元素(120，220，230，250，260，280，290)的至少一个侧壁角度(170，670，1970，2470，2770，2780)。 | ||
| 搜索关键词： | 设定 光刻 图案 元素 侧壁 角度 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
