[发明专利]设定光刻掩模的图案元素的侧壁角度的方法和设备

权利要求书

1.一种用于设定光刻掩模(150、200、700)的至少一个图案元素(120、220、230、250、260、280、290)的至少一个侧壁角度(170、670、1970、2470、2770、2780)的方法(2800)，该方法包括以下步骤：

a.提供至少一个前驱气体；

b.提供至少一个大质量粒子束(910、1215、1515、1930、2120)，

其引起该至少一个前驱气体的局部化学反应；

c.在该局部化学反应期间改变该粒子束(910、1215、1515、1930、2120)的至少一个参数和/或一制程参数以设定该至少一个图案元素(120、220、230、250、260、280、290)的至少一个侧壁角度(170、670、1970、2470、2770、2780)；以及

d.其中相对于在一个维度中的制程分辨率极限，在一个维度中的修复形状(2620)的尺寸从该局部化学反应的起始至结束改变至少5％。

2.根据权利要求所述的方法(2800)，其中该至少一个大质量粒子束(910、1215、1515、1930、2120)在待设定的侧壁角度(170、670、1970、2470、2770、2780)的位置引起局部化学反应。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法(2800)，其中该至少一个侧壁角度(170、670、1970、2470、2770、2780)在修复该光刻掩模(150、200、700)的缺陷时设定。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法(2800)，其中改变至少一个粒子束(910、1215、1515、1930、2120)的至少一个参数包含改变以下群组中的至少一个要素：

-相对于该大质量粒子束(910、1215、1515、1930、2120)的光轴的至少一个粒子束源(1205、1505)的成像系统(1213、1513)的至少一个聚光器孔径的中心对称设定，

-该至少一个粒子束源(1205、1505)的成像系统(1213、1513)的至少一个孔径的非圆形设定，

-相对于该光刻掩模(150、200、700)的图案化表面的垂线调整用于倾斜该大质量粒子束(910、1215、1515、1930、2120)的至少一个粒子束源(1205、1505)的成像系统(1213、1513)，

-相对于该光刻掩模(150、200、700)的图案化表面的垂线设定用于倾斜该大质量粒子束(910、1215、1515、1930、2120)的偏转系统(1350)，以及

-在该局部化学反应期间设定该大质量粒子束(910、1215、1515、1930、2120)的射束剖面。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法(2800)，其中改变该至少一个制程参数包含以下群组中的至少一个要素：

-将修复形状(2520、2620)分成至少两个部分修复形状以使用不同制程参数处理所述至少两个部分修复形状，

-改变以下群组中的至少一个参数：重复时间、驻留时间、该大质量粒子束(910、1215、1515、1930、2120)的相邻扫描点的间隔以及在该局部化学反应期间的至少一个大质量粒子束(910、1215、1515、1930、2120)的加速电压，

-在该局部化学反应期间改变该修复形状(2620)的尺寸；以及

-在该局部化学反应期间改变该修复形状(2520、2620)的位置。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法(2800)，其中相对于在一个维度中的制程分辨率极限，在一个维度中的修复形状(2620)的尺寸从该局部化学反应开始到结束改变至少30％，较佳地至少50％，更佳地至少100％。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法(2800)，其中相对于在一个维度中的制程分辨率极限，修复形状(2520，2620)的边缘的位置从该局部化学反应开始到结束改变至少5％，较佳地至少30％，更佳地至少50％，且最佳地至少100％。