[发明专利]用于减少的电阻温度系数可变性的栅极注入物在审
| 申请号： | 202180042366.3 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN115917745A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | M·楠达库玛 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了在半导体衬底(102)之上形成多晶硅电阻器主体(130)的方法和半导体电路。第一掺杂剂种类以大约与多晶硅电阻器主体(130)的最顶表面的表面法线平行的第一角度被注入多晶硅电阻器主体(130)中。第二掺杂剂种类以大于相对于表面法线约10°的第二角度被注入多晶硅电阻器主体中。注入物的组合减少了窄电阻器的电阻温度系数与宽电阻器的电阻温度系数之间的差异，并使电阻器的电阻温度系数更接近于零的优选值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 电阻 温度 系数 可变性 栅极 注入 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
