[发明专利]用于等离子体腔室条件监测的电容传感器及电容感测位置在审
| 申请号： | 202180013444.7 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN115066737A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 潘尧令;P·J·唐;L·泰德斯奇;P·A·克劳斯;M·D·威尔沃斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 史起源;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了用于等离子体腔室条件监测的电容传感器及电容感测位置。在一示例中，等离子体处理腔室包括腔室壁，所述腔室壁环绕处理区域。腔室盖在所述腔室壁之上并且在所述处理区域上方。腔室地板在所述腔室壁下并且在所述处理区域下方。支撑基座在所述处理区域中且在所述腔室盖下方并且在所述腔室地板上方，并且所述支撑基座被所述腔室壁环绕。电容传感器模块可在所述腔室壁的开口中。腔室盖可包括电容传感器模块。腔室地板可包括排气端口及在所述排气端口内或相邻于所述排气端口的电容传感器模块。支撑基座可包括环结构，所述环结构环绕基板支撑区域，并且电容传感器模块在所述环结构的开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子 体腔 条件 监测 电容 传感器 测位 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180013444.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池组和包括该电池组的设备
- 下一篇：PCSK9的拮抗剂
