[发明专利]用于等离子体腔室条件监测的电容传感器及电容感测位置

权利要求书

1.一种等离子体处理腔室，包括：

腔室壁，所述腔室壁环绕处理区域，所述腔室壁包括穿过所述腔室壁的开口；

电容传感器模块，所述电容传感器模块在所述腔室壁的所述开口中；

腔室盖，所述腔室盖在所述腔室壁之上，所述腔室盖在所述处理区域上方；

腔室地板，所述腔室地板在所述腔室壁下，所述腔室地板在所述处理区域下方；以及

支撑基座，所述支撑基座在所述处理区域中，所述支撑基座在所述腔室盖下方并且在所述腔室地板上方，并且所述支撑基座被所述腔室壁环绕。

2.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述电容传感器模块进一步包括热传感器。

3.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中所述电容传感器模块包括电容传感器，所述电容传感器接近所述处理区域，并且所述电容传感器模块包括远离所述处理区域的所述热传感器。

4.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述腔室盖包括第二电容传感器模块。

5.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中所述腔室地板包括排气端口，并且其中所述等离子体处理腔室包括在所述排气端口内或相邻于所述排气端口的第三电容传感器模块。

6.如权利要求5所述的等离子体处理腔室，其中所述支撑基座包括环结构，所述环结构环绕基板支撑区域，所述环结构包括穿过所述环结构的开口，并且其中所述等离子体处理腔室包括在所述环结构的所述开口中的第四电容传感器模块。

7.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中所述支撑基座包括环结构，所述环结构环绕基板支撑区域，所述环结构包括穿过所述环结构的开口，并且其中所述等离子体处理腔室包括在所述环结构的所述开口中的第三电容传感器模块。

8.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述腔室地板包括排气端口，并且其中所述等离子体处理腔室包括在所述排气端口内或相邻于所述排气端口的第二电容传感器模块。

9.如权利要求8所述的等离子体处理腔室，其中所述支撑基座包括环结构，所述环结构环绕基板支撑区域，所述环结构包括穿过所述环结构的开口，并且其中所述等离子体处理腔室包括在所述环结构的所述开口中的第三电容传感器模块。

10.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述支撑基座包括环结构，所述环结构环绕基板支撑区域，所述环结构包括穿过所述环结构的开口，并且其中所述等离子体处理腔室包括在所述环结构的所述开口中的第二电容传感器模块。

11.一种等离子体处理腔室，包括：

腔室壁，所述腔室壁环绕处理区域；

腔室盖，所述腔室盖在所述腔室壁之上，所述腔室盖在所述处理区域上方，其中所述腔室盖包括电容传感器模块；

腔室地板，所述腔室地板在所述腔室壁下，所述腔室地板在所述处理区域下方；以及

支撑基座，所述支撑基座在所述处理区域中，所述支撑基座在所述腔室盖下方并且在所述腔室地板上方，并且所述支撑基座被所述腔室壁环绕。

12.如权利要求11所述的等离子体处理腔室，其中所述电容传感器模块进一步包括热传感器。

13.如权利要求11所述的等离子体处理腔室，其中所述腔室地板包括排气端口，并且其中所述等离子体处理腔室包括在所述排气端口内或相邻于所述排气端口的第二电容传感器模块。

14.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，其中所述支撑基座包括环结构，所述环结构环绕基板支撑区域，所述环结构包括穿过所述环结构的开口，并且其中所述等离子体处理腔室包括在所述环结构的所述开口中的第三电容传感器模块。