[发明专利]薄膜存储晶体管中冷电子抹除在审
| 申请号： | 202180007476.6 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN114846551A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 赛義夫·萨拉胡丁;乔治·莎玛奇沙;武儀·亨利·简;叶利·哈拉里 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;H01L21/28;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储晶体管具有位于一通道区及一闸电极之间的一穿隧介电层及一电荷捕捉层，其中当施加一写入电压时，电荷捕捉层具有低于穿隧介电层中穿隧能障的低点的一导带台阶，使得电子直接穿隧进入电荷捕捉层。电荷捕捉层的导带台阶位于‑1.0电子伏特及2.3电子伏特之间。存储晶体管可包括位于穿隧介电层及电荷捕捉层之间的一阻障层，阻障层具有小于电荷捕捉层的导带台阶的一导带台阶。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 存储 晶体管 电子 | ||
【主权项】：
暂无信息
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