[发明专利]包括无梯式字线接触结构的三维存储器器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202180006683.X | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN114730737A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 田中义信;伊藤康一;长谷川秀明;飞冈明弘;李成泰 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 章愫;刘芳 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠在衬底上方形成。穿过该交替堆叠形成存储器开口和支撑开口，并且分别在存储器开口和支撑开口中形成存储器开口填充结构和支撑柱结构。穿过交替堆叠形成延伸到牺牲材料层中的每个牺牲材料层的通孔腔体，而不在交替堆叠中形成任何阶梯式表面。可以在不与支撑柱结构重叠的区域中或者在包括至少一个支撑柱结构的区域中形成通孔腔体。在通孔腔体中形成牺牲通孔填充结构，并且用导电层替换牺牲材料层。移除牺牲通孔填充结构，并且可以在通孔腔体中形成管状介电间隔物和接触通孔结构的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 无梯式字线 接触 结构 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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