[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202180002724.8 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113906571B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李长安 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括第一和氮基半导体层、栅极电极、介电层、第一接触电极和钝化层。介电层覆盖栅极电极。第一接触电极贯穿介电层以与第二氮基半导体层接触。第一接触电极包括在其第一不连续区域中的一个或多个封闭的不连续图块。钝化层设置在介电层上方并覆盖第一接触电极。钝化层贯穿在第一不连续区域中的第一接触电极以与第二氮基半导体层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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