[发明专利]三维存储器装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202180002482.2 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN116368952A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;刘威;王言虹;夏志良;周文犀;张坤;杨远程 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/40 | 分类号： | H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构(102)、第二半导体结构(108)以及第一半导体结构(102)和第二半导体结构(108)之间的键合界面(103)。第一半导体结构(102)包括存储器单元阵列和与NAND存储器串(208)阵列的源极接触的第一半导体层(1002)。第二半导体结构(108)包括第二半导体层(3904)、存储器单元阵列的包括与第二半导体层(3904)的第一侧接触的第一晶体管(4020，4022)的第一外围电路(4016，4018)、以及NAND存储器串(208)阵列的包括与第二半导体层(3904)的第二侧接触的第二晶体管(4008，4010)的第二外围电路(4004，4006)，第二侧与第一侧相对。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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