[发明专利]掩模版、曝光方法和触控面板在审
申请号: | 202180000490.3 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN114127631A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 雷杰;郑启涛;许邹明;吴信涛;刘纯建;田健 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G06F3/041 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;张蓉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开提供了一种掩模版(13)、曝光方法和触控面板(170)。掩模版(13)包括第一区域(130’)和第二区域(130),第一区域(130’)位于第二区域(130)的至少一侧,其中,第一区域(130’)包括第一遮光条(131”)和第二遮光条(131’),第二区域(130)包括第三遮光条(131),第一遮光条(131”)、第二遮光条(131’)和第三遮光条(131)的延伸方向相同,第二遮光条(131’)位于第一遮光条(131”)和第三遮光条(131)之间,第一遮光条(131”)、第二遮光条(131’)和第三遮光条(131)配置为阻挡光线,多个第一遮光条(131”)、多个第二遮光条(131’)和多个第三遮光条(131)包围形成的间隙允许光线通过,第一遮光条(131”)在第一方向上的宽度大于第二遮光条(131’)在第一方向上的宽度,且第二遮光条(131’)在第一方向上的宽度大于第三遮光条(131)在第一方向上的宽度。 | ||
搜索关键词: | 模版 曝光 方法 面板 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202180000490.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备