[发明专利]垂直存储器件在审
| 申请号： | 202180000268.3 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112840454A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张强威;耿静静;袁彬;王香凝;左晨;杨竹;程黎明;郭振 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 于景辉;李文彪 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的方面提供了半导体器件。例如，半导体器件包括衬底，该衬底具有沿平行于衬底的主表面的第一方向的第一区域和第二区域。然后，半导体器件包括存储堆叠层，该存储堆叠层包括沿垂直于衬底的主表面的第二方向的交替的栅极层和绝缘层的第一堆叠层以及交替的栅极层和绝缘层的第二堆叠层。此外，半导体器件包括第二区域中的接合绝缘层以及在第一区域中在交替的栅极层和绝缘层的第一堆叠层与交替的栅极层和绝缘体的第二堆叠层之间的交替的栅极层和绝缘层的第三堆叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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