[实用新型]平面栅超结功率器件有效
| 申请号： | 202123268779.X | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN216793693U | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏;周锦程;李宗清 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 涂三民;曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种平面栅超结功率器件，包括第一导电类型衬底、外延层、柱、源区、第二导电类型柱、体区、第一氧化层、第二氧化层、第一类导电多晶硅、第二类导电多晶硅、源极金属、绝缘介质层、第一通孔与第二通孔，第一类导电多晶硅半包围或者全包围第二类导电多晶硅，第一通孔的两侧均为第一类导电多晶硅，源极金属通过第一通孔与第一导电类型源区以及第二导电类型体区欧姆接触，源极金属通过第二通孔与第一导电类型源区、第二导电类型体区以及第二类导电多晶硅欧姆接触，第二类导电多晶硅的两侧均与第二通孔欧姆接触。本实用新型降低了芯片成本与封装成本，减少了反向恢复能量损耗，并降低了工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 栅超结 功率 器件 | ||
【主权项】：
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