[实用新型]用于CMOS图像传感器的可调降温电路有效
| 申请号: | 202123174188.6 | 申请日: | 2021-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN215896397U | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
| 发明(设计)人: | 刘伟 | 申请(专利权)人: | 苏州墨空视觉技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/024;H04N5/374 |
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 赵世发 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市工业园区金芳路*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型公开了一种用于CMOS图像传感器的可调降温电路。所述用于CMOS图像传感器的可调降温电路主要用于对相机内部的CMOS图像传感器进行降温,其包括依次相连的脉宽调制波发生器、RC滤波电路、电压变换芯片和半导体制冷片,脉宽调制波发生器通过一个IO管脚输出占空比可变的PWM波到RC滤波电路,实现对电压变换芯片输出电压的控制。本实用新型实施例提供的一种用于CMOS图像传感器的可调降温电路,采用RC滤波电路来控制半导体制冷片的输入电压,降低了电路成本并提高了其可靠性。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 cmos 图像传感器 可调 降温 电路 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





