[实用新型]一种电极互联片以及薄膜型半导体阵列有效
申请号: | 202122876413.4 | 申请日: | 2021-11-19 |
公开(公告)号: | CN216563160U | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 吴志猛;王伟明;李华 | 申请(专利权)人: | 上海镓芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人: | 汤雄军;龚泉洲 |
地址: | 201616 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种电极互联片以及薄膜型半导体阵列。所述电极互联片,包括应力吸收部、第一电极连接部以及第二电极连接部;其中,所述应力吸收部具有镂空图形。该电极互联片能够消除受热应力影响产生的材料疲劳,产生裂纹、完全断裂,还能够避免热应力作用造成的焊点损伤;进而,避免由此导致的薄膜型半导体阵列的性能下降。本实用新型还涉及含有该电极互联片的薄膜型半导体阵列。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 互联片 以及 薄膜 半导体 阵列 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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