[实用新型]一种基于水平定向凝固法生长晶体的加料结构有效

专利信息
申请号: 202122554585.X 申请日: 2021-10-22
公开(公告)号: CN215856441U 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 田野;顾跃;丁雨憧;杲星 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
主分类号: C30B11/04 分类号: C30B11/04;C30B29/20;C30B29/28;C30B21/00
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 李海华
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 实用新型公开了一种基于水平定向凝固法生长晶体的加料结构,包括单晶炉、备料室和加料管,单晶炉炉内依次形成有用于向坩埚内添加原料的备料区、用于熔融原料的熔料区以及晶体生长的生长区,备料室斜向设于单晶炉炉外并与备料区相对应,备料室呈柱形壳状结构,且开口朝上,在备料室开口端密封安装有密封盖,备料室底部与加料管进料口相连通,加料管出料口斜向穿入单晶炉炉内且出料口位于备料区上方,以与单晶炉炉体形成相连通的密闭空间;在加料管上靠近备料室底部一端安装有进料阀门,以通过进料阀门开闭控制原料进入坩埚内。本实用新型能够对单晶炉实现重复加料和熔料,并保持需要的真空度,不影响产品成型质量。
搜索关键词: 一种 基于 水平 定向 凝固 生长 晶体 加料 结构
【主权项】:
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