[实用新型]一种基于水平定向凝固法生长晶体的加料结构

权利要求书

1.一种基于水平定向凝固法生长晶体的加料结构，包括单晶炉，单晶炉炉内依次形成有用于向坩埚内添加原料的备料区、用于熔融原料的熔料区以及晶体生长的生长区，其特征在于，还包括备料室和加料管，备料室斜向设于单晶炉炉外并与备料区相对应，备料室呈柱形壳状结构，且开口朝上，在备料室开口端密封安装有密封盖，备料室底部与加料管进料口相连通，加料管出料口斜向穿入单晶炉炉内且出料口位于备料区上方，加料管与单晶炉连接位置密封处理，以与单晶炉炉体形成相连通的密闭空间；在加料管上靠近备料室底部一端安装有进料阀门，以通过进料阀门开闭控制原料进入坩埚内。

2.根据权利要求1所述的一种基于水平定向凝固法生长晶体的加料结构，其特征在于，加料管与备料室的接口位于备料室底部边缘，以使原料由自身重力进入加料管。

3.根据权利要求2所述的一种基于水平定向凝固法生长晶体的加料结构，其特征在于，在备料室开口端端面开设有环形凹槽，环形凹槽内密封安装有凸出备料室开口端端面的密封圈。

4.根据权利要求3所述的一种基于水平定向凝固法生长晶体的加料结构，其特征在于，备料室侧壁为双层结构，双层结构中间为中空腔体，备料室侧壁分别设有与中空腔体相连通的进水管和出水管，通过进水管和出水管使冷却水在中空腔体内循环以给备料室降温，防止备料室过热。