[实用新型]一种晶圆刻蚀装置有效
| 申请号： | 202121366078.7 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN215118847U | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张艳强;张焕响 | 申请（专利权）人： | 沧州晶源远贸晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 沧州市国瑞专利代理事务所(普通合伙) 13138 | 代理人： | 李瑶 |
| 地址： | 062450 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及晶圆刻蚀的技术领域，特别是涉及一种晶圆刻蚀装置，其可以提高气体媒介与晶圆的接触均匀性，减少对晶圆刻蚀效果的影响，方便可以方便对刻蚀的晶圆进行取放，提高实用性；包括刻蚀箱、旋转轴、电机、减速机、联轴器、固定架、多组支撑架、多组旋转环、多组连接链、多组放置框、多组放置板和多组插块，多组旋转环分别与多组支撑架可转动连接，多组连接链两端分别与多组旋转环和多组放置框连接，多组放置框上分别设置有多组插槽，多组放置板上分别设置有多组通孔，多组放置板分别放置于多组放置框上，多组插块分别安装在多组放置板底部，多组插块分别插入至多组插槽中，刻蚀箱前侧壁上设置有取放口，刻蚀箱前侧壁上设置有箱门。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
