[实用新型]防护薄膜框架、防护薄膜、曝光原版、装置与系统、半导体及液晶显示板的制造系统有效
| 申请号： | 202121003533.7 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN215986893U | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 簗瀬优 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京千代田区大手町二丁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的目的在于提供一种在EUV曝光中对氢自由基充分具有耐性的防护薄膜框架、防护薄膜、曝光原版、装置与系统、半导体及液晶显示板的制造系统。本实用新型提供的防护薄膜框架，其为EUV曝光用的防护薄膜框架，在所述防护薄膜框架至少设置一个通气部，且在所述通气部内安装具有被树脂被覆的多孔质膜的过滤器；提供一种防护薄膜，在所述防护薄膜框架张设防护膜；提供一种带防护薄膜的曝光原版，其为EUV曝光用的带防护薄膜的曝光原版，在曝光原版装设有所述防护薄膜；且提供一种曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 薄膜 框架 曝光 原版 装置 系统 半导体 液晶显示 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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