[实用新型]防护薄膜框架、防护薄膜、曝光原版、装置与系统、半导体及液晶显示板的制造系统

说明书

本实用新型的目的在于提供一种在EUV曝光中对氢自由基充分具有耐性的防护薄膜框架、防护薄膜、曝光原版、装置与系统、半导体及液晶显示板的制造系统。本实用新型提供的防护薄膜框架，其为EUV曝光用的防护薄膜框架，在所述防护薄膜框架至少设置一个通气部，且在所述通气部内安装具有被树脂被覆的多孔质膜的过滤器；提供一种防护薄膜，在所述防护薄膜框架张设防护膜；提供一种带防护薄膜的曝光原版，其为EUV曝光用的带防护薄膜的曝光原版，在曝光原版装设有所述防护薄膜；且提供一种曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。

技术领域

本实用新型涉及一种防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光装置、曝光系统、半导体的制造系统及液晶显示板的制造系统。

背景技术

近年来，大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的设计规则正推进向亚四分之一微米(sub-quarter micron)的微细化，伴随于此，正推进曝光光源的短波长化。即，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm) 等，进而研究有使用主波长13.5nm的极紫外光(ExtremeUltra Violet Light， EUV光)的EUV曝光。

在LSI、超LSI等半导体制造或液晶显示板的制造中，对半导体晶片或液晶用原板照射光来制作图案，若此时使用的微影用光掩模及标线(reticle)(以下，加以总称而记述为“曝光原版”)附着有尘埃，则所述尘埃会吸收光，或者会使光弯曲，因此所转印的图案变形，或者边缘粗杂，此外，还存在基底被染黑，尺寸、品质、外观等受损的问题。

这些作业通常是在洁净室(clean room)内进行，但即便如此，也难以使曝光原版始终保持洁净。因此，一般采用于在曝光原版表面贴附防护薄膜作为除尘器后进行曝光的方法。此情况下，异物不会直接附着于曝光原版的表面，而是附着于防护薄膜上，因此，若在微影时使焦点在曝光原版的图案上对焦，则防护薄膜上的异物便与转印无关。

所述防护薄膜的基本结构为：在包含铝或钛等的防护薄膜框架的上端面张设相对于曝光中所使用的光而透过率高的防护膜，并且在下端面形成气密用衬垫(gasket)。气密用衬垫一般使用粘合剂层，并贴附有以保护所述粘合剂层为目的的保护片。防护膜包括使曝光中使用的光(基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)、KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光 (193nm)等)良好地透过的硝基纤维素、乙酸纤维素、氟系聚合物等，但在EUV曝光用中，正在研究极薄硅膜或碳膜来作为防护膜。

此外，作为防护薄膜用过滤器，根据其异物修补能力，一直使用HEPA过滤器(HighEfficiency Particulate Air Filter)或ULPA过滤器(Ultra Low Penetration AirFilter)过滤器中使用的那样的多孔质膜。在EUV用防护薄膜中，例如如专利文献1中记载的那样，正在研究使用同样的过滤器。

然而，为了高效率地去除产生EUV光时产生的被称为飞散粒子(碎片) 的异物，在EUV曝光装置内充满了氢气。所述氢气与EUV光反应，成为氢自由基。因此，对于EUV用防护薄膜而言，要求之前的KrF防护薄膜或ArF 防护薄膜并非必需的对氢自由基充分的耐性。

一般而言，过滤器为了捕集异物而具有多孔质膜，当气体通过多孔质膜的间隙时，利用多孔质膜来捕获异物，仅使无异物的气体通过。根据其性质可容易地想象到，多孔质膜在防护薄膜中所使用的构件中，表面积最大，且最易于暴露于包含氢自由基的气体中。因此，多孔质膜因氢自由基而劣化，当间隙变大时异物捕集率也可能下降。因此，对于过滤器中使用的多孔质膜而言，需要高的氢自由基耐性。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]国际公开第2016/043292号

实用新型内容