[实用新型]一种离子源头结构及离子注入机有效

专利信息
申请号: 202120818569.4 申请日: 2021-04-21
公开(公告)号: CN214672492U 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 刘凯;胡浩;冯存根;吴秋阳 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08;H01J37/317
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种离子源头结构,其特征在于,包括灯丝、阴极、绝缘支撑件、起弧室;所述阴极呈一壳罩状且具有容纳腔,所述灯丝置于所述容纳腔内;所述起弧室的一侧壁开设安装孔,所述阴极贯穿所述安装孔并延伸至所述起弧室内;所述绝缘支撑件设置于所述阴极与所述安装孔的孔壁之间,以使所述阴极与所述侧壁之间绝缘。本实用新型通过在阴极与安装孔的侧壁之间增设绝缘支撑件,避免了因阴极与起弧室的侧壁接触导致的起弧室短路的发生,减少了设备宕机的总次数,有利于产能的提升,且减少了额外的设备维护成本;另外,绝缘支撑件还可以对阴极起到支撑作用,减少阴极的形变。
搜索关键词: 一种 离子 源头 结构 注入
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体(无锡)有限公司,未经华虹半导体(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202120818569.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top