[实用新型]一种离子源头结构及离子注入机有效
申请号: | 202120818569.4 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN214672492U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 刘凯;胡浩;冯存根;吴秋阳 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J37/317 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种离子源头结构,其特征在于,包括灯丝、阴极、绝缘支撑件、起弧室;所述阴极呈一壳罩状且具有容纳腔,所述灯丝置于所述容纳腔内;所述起弧室的一侧壁开设安装孔,所述阴极贯穿所述安装孔并延伸至所述起弧室内;所述绝缘支撑件设置于所述阴极与所述安装孔的孔壁之间,以使所述阴极与所述侧壁之间绝缘。本实用新型通过在阴极与安装孔的侧壁之间增设绝缘支撑件,避免了因阴极与起弧室的侧壁接触导致的起弧室短路的发生,减少了设备宕机的总次数,有利于产能的提升,且减少了额外的设备维护成本;另外,绝缘支撑件还可以对阴极起到支撑作用,减少阴极的形变。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子 源头 结构 注入 | ||
【主权项】:
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