[实用新型]一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构有效

专利信息
申请号: 202120717984.0 申请日: 2021-04-08
公开(公告)号: CN215639493U 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 张文旭;彭斌;张万里;余涛 申请(专利权)人: 张文旭
主分类号: G01D5/22 分类号: G01D5/22
代理公司: 贵阳中新专利商标事务所 52100 代理人: 刘楠
地址: 610051 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构,包括硅基体,在硅基体上依次铺设敏感单元层、Barber电极层和Set/Reset线圈层;其中在、Barber电极层与Set/Reset线圈层之间设置钝化层一,在Set/Reset线圈层上方设置钝化层二,本实用新型的磁场线圈采用全平面工艺,避免了螺线圈的三维加工技术,降低了导线的电阻,减小了线圈发热;采用多层膜结构,既能够提升芯片的集成度,拓展芯片的可用功能,在保证芯片测试精度的前提下,又能够有效减小芯片面积,降低芯片生产成本,提高产品良率。
搜索关键词: 一种 set reset 功能 线性 磁阻 传感器 芯片 结构
【主权项】:
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