[实用新型]一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构有效
| 申请号： | 202120717984.0 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN215639493U | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张文旭;彭斌;张万里;余涛 | 申请（专利权）人： | 张文旭 |
| 主分类号： | G01D5/22 | 分类号： | G01D5/22 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 610051 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 set reset 功能 线性 磁阻 传感器 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构，包括硅基体(1)，其特征在于：在硅基体(1)上依次铺设敏感单元层(2)、Barber电极层(3)和Set/Reset线圈层(4)；其中在、Barber电极层(3)与Set/Reset线圈层(4)之间设置钝化层一(5)，在Set/Reset线圈层(4)上方设置钝化层二(6)。
2.根据权利要求1所述的一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构，其特征在于：所述敏感单元层(2)中的敏感单位是由多个两端带尖角的长条形电阻条平行放置构成，所述电阻条尺寸为10um-20um，相邻电阻条之间的线条间距为3um-5um。
3.根据权利要求1所述的一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构，其特征在于：所述Barber电极层(3)中Barber电极宽度在1um-5um之间，Barber电极间距在5um-10um之间，Barber电极角度在40°-50°之间。
4.根据权利要求1所述的一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构，其特征在于：所述Set/Reset线圈层(4)采用平铺式线条排布方式获得同一方向的激励磁场，且该Set/Reset线圈的线条尺寸在10um-20um之间，线条间距在3um-5um之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张文旭，未经张文旭许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120717984.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
