[实用新型]一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构

说明书

本实用新型公开了一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构，包括硅基体，在硅基体上依次铺设敏感单元层、Barber电极层和Set/Reset线圈层；其中在、Barber电极层与Set/Reset线圈层之间设置钝化层一，在Set/Reset线圈层上方设置钝化层二，本实用新型的磁场线圈采用全平面工艺，避免了螺线圈的三维加工技术，降低了导线的电阻，减小了线圈发热；采用多层膜结构，既能够提升芯片的集成度，拓展芯片的可用功能，在保证芯片测试精度的前提下，又能够有效减小芯片面积，降低芯片生产成本，提高产品良率。

技术领域

本实用新型涉及磁场的感应测量领域技术领域，具体为一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构。

背景技术

线性磁阻传感器芯片主要是将探测到的磁信号转变成相应的电信号，在测量过程中，由于敏感薄膜是软磁材料，必然会受到外部磁场的干扰，从而导致芯片测量时初始化条件不一致，进而导致测量不准确，为了解决这类问题，一般都需要在每次测量之前对芯片进行一次磁场初始化操作，有的是通过在芯片外部加瞬间脉冲磁场的方式实现，有的则是在芯片内部加脉冲线圈的方式实现（图1）。采用螺线线圈设计，将形成中心电极抽头，需要适当的三维加工技术，才能将电极接头放置在芯片边缘引脚。同时，现有技术中，不管哪种方式，都导致使用时需要额外的面积放置激励线圈，要么会导致芯片面积过大，线条加工成品率降低。

实用新型内容

线性磁阻传感器芯片在测试过程中由于外部磁场干扰导致信号输出不能重复，需要通过Set/Reset线圈施加瞬态磁场，保证芯片在每次测量时都通过Set/Reset线圈进行初始化操作，从而保证测量精度，本实用新型的目的在于提供一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构，本实用新型的线圈是全平面工艺，不需要三维加工技术，同时减少对尺寸和加工精度的苛刻要求，提高产品的良率，以克服现有技术的不足。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种含Set/Reset功能的线性磁阻传感器芯片结构，包括硅基体，在硅基体上依次铺设敏感单元层、Barber电极层和Set/Reset线圈层；其中在、Barber电极层与Set/Reset线圈层之间设置钝化层一，在Set/Reset线圈层上方设置钝化层二。

作为本实用新型的进一步方案：所述敏感单元层中的敏感单位是由多个两端带尖角的长条形电阻条平行放置构成，所述电阻条尺寸为10um-20um，相邻电阻条之间的线条间距为3um-5um。

作为本实用新型的进一步方案：所述Barber电极层中Barber电极宽度在1um-5um之间，Barber电极间距在5um-10um之间，Barber电极角度在40°-50°之间。

作为本实用新型的进一步方案：所述Set/Reset线圈层采用平铺式线条排布方式获得同一方向的激励磁场，且该Set/Reset线圈的线条尺寸在10um-20um之间，线条间距在3um-5um之间。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型的磁场线圈采用全平面工艺，避免了螺线圈的三维加工技术，降低了导线的电阻，减小了线圈发热；采用多层膜结构，既能够提升芯片的集成度，拓展芯片的可用功能，在保证芯片测试精度的前提下，又能够有效减小芯片面积，降低芯片生产成本，提高产品良率。

附图说明

图1为现有技术的线圈设计示意图；

图2为本实用新型的结构示意图；

图3为本实用新型中敏感单元层的布局示意图；

图4为本实用新型中Barber电极层的布局示意图；

图5为本实用新型中Set/Reset线圈层的布局示意。