[实用新型]低功耗沟槽式功率MOS器件有效
| 申请号： | 202120434005.0 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN214411210U | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李振道;孙明光 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种低功耗沟槽式功率MOS器件，其轻掺杂P型阱层位于第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区之间的区域设置有一重掺杂P型区，所述重掺杂P型区上表面与轻掺杂P型阱层上表面齐平，且位于轻掺杂P型阱层下方，且重掺杂P型区下表面延伸至所述N型外延层内，所述重掺杂P型区中部的宽度大于其上部和下部的宽度；第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区与轻掺杂P型阱层的接触面均为弧形面，所述轻掺杂P型阱层与N型外延层的接触面为向下凸起的弧形面。本实用新型低功耗沟槽式功率MOS器件增加了MOS器件抗雪崩崩溃能力，避免了器件电流突然增大，从而提高了MOS器件的可靠性并降低了器件的切换损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 沟槽 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
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