[实用新型]晶体制备装置的副炉室及用于制备晶体硅的装置有效
| 申请号： | 202120403030.2 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN214361827U | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 肖贵云;何丽珠;白枭龙;尚伟泽;黄晶晶 | 申请（专利权）人： | 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 肖丽 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及晶体硅制备装置技术领域，尤其涉及一种晶体制备装置的副炉室及用于制备晶体硅的装置。该晶体制备装置的副炉室，包括：炉本体；吸热结构，所述吸热结构形成在所述炉本体的至少部分内表面，所述吸热结构包括凸起部；涂层，所述涂层至少部分覆盖在所述吸热结构上。本申请可以增加辐射面积，提高吸热效率，使直拉单晶硅棒进入副炉室后能够较快降温，保证制得的产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 制备 装置 副炉室 用于 | ||
【主权项】：
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