[实用新型]晶体制备装置的副炉室及用于制备晶体硅的装置

说明书

本实用新型涉及晶体硅制备装置技术领域，尤其涉及一种晶体制备装置的副炉室及用于制备晶体硅的装置。该晶体制备装置的副炉室，包括：炉本体；吸热结构，所述吸热结构形成在所述炉本体的至少部分内表面，所述吸热结构包括凸起部；涂层，所述涂层至少部分覆盖在所述吸热结构上。本申请可以增加辐射面积，提高吸热效率，使直拉单晶硅棒进入副炉室后能够较快降温，保证制得的产品质量。

技术领域

本申请涉及晶体硅制备装置技术领域，尤其涉及一种晶体制备装置的副炉室及用于制备晶体硅的装置。

背景技术

在半导体硅片的制造过程中，单晶硅棒的质量决定硅片的质量，因此提高单晶硅棒的质量至关重要。目前制造单晶硅棒的方法包括直拉法、磁场直拉法、区熔法等，其中直拉法是目前较为常用的单晶硅生产方法。在直拉法生产单晶硅工艺中，直拉单晶炉是制备单晶硅棒的主要设备，采用该设备所制备出的单晶硅棒的成本比较低，机械强度比较高，因此被广泛应用在半导体加工领域中。

传统的直拉单晶炉在其主炉体上配有一个副炉室，用于在晶体提拉出熔体后上升到副炉室内部缓慢冷却。现有的直拉单晶炉的副炉室主要为不锈钢内壁层，其副炉室的内壁采用不锈钢材料，并对内壁表面进行抛光处理。然而，对副炉室的内表面不锈钢抛光处理，其反射率较高，使得直拉单晶棒进入副炉室后热量散失速率较慢，冷却时间较长。直拉单晶棒进入散热速率较慢的副炉室，会造成较长时间处于650℃以上的高温阶段，降温速率也较慢，从而会导致氧施主效应增强，以及缺陷增值较快，进而严重影响所制得的单晶硅棒的质量。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型提供一种晶体制备装置的副炉室及用于制备晶体硅的装置，能够提高降温速度，降低氧施主效应，有效抑制晶体缺陷的扩展，提高生产效率。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案为：

根据本申请的一个方面，提供一种晶体制备装置的副炉室，包括：

炉本体；

吸热结构，所述吸热结构形成在所述炉本体的至少部分内表面，所述吸热结构包括凸起部；

涂层，所述涂层至少部分覆盖在所述吸热结构上。

在一种可能的实现方式中，所述凸起部包括平行于所述炉本体内表面的凸起面和与所述凸起面连接且呈倾斜设置的倾斜面。

在一种可能的实现方式中，所述凸起部为多个，相邻所述凸起部之间形成凹陷槽。

在一种可能的实现方式中，所述凸起部的凸起高度为2mm至30mm。

在一种可能的实现方式中，自所述炉本体内表面的底端至所述炉本体内表面的100mm至3000mm的位置设有所述吸热结构。

可选的，所述炉本体内表面的任意位置设有所述吸热结构，所述吸热结构的高度为100mm至3000mm。

在一种可能的实现方式中，所述炉本体内表面的50％至100％设有所述吸热结构。

可选的，所述炉本体内表面的60％至90％设有所述吸热结构。

在一种可能的实现方式中，所述涂层包括吸热材料层，所述吸热材料层包括单向导热材料。

在一种可能的实现方式中，所述吸热材料层包括黑镍涂层、黑钴涂层、黑铬涂层或不锈钢阳极氧化涂层。

可选的，所述吸热结构的表面设有所述吸热材料层，所述吸热材料层的高度为100mm至3000mm。

在一种可能的实现方式中，所述凸起部的垂直于所述炉本体的方向上的截面形状包括梯形、三角形、半圆形、半椭圆形及其组合；和/或，