[实用新型]批次型湿法刻蚀设备有效
申请号: | 202120138106.3 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN213988841U | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 吴镐硕;朴灵绪 | 申请(专利权)人: | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 215024 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种批次型湿法刻蚀设备,包括槽体、供液管路、惰性气体管路、支架及轴承;供液管路一端与刻蚀液源相连通,另一端与槽体相连通;惰性气体管路位于槽体内且位于槽体下部,与惰性气体源相连通,惰性气体管路上设置有进气孔,以向刻蚀液内供应惰性气体,使刻蚀液向上鼓泡;支架位于槽体外,轴承固定于支架上,且惰性气体管路与轴承相连接;当驱动轴承旋转时,轴承带动惰性气体管路移动以改变惰性气体管路的位置。本实用新型在无需设备停机的情况下,工作人员无需进入槽体内,在槽体外部即可对槽体内的惰性气体管路的位置进行调整,以通过改善惰性气体的分布调整刻蚀液分布,提高刻蚀均匀性及设备产出率以及提高职业环境安全性。 | ||
搜索关键词: | 批次 湿法 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造