[实用新型]一种双轨高产能晶硅电池片抗光衰退火炉设备有效
申请号: | 202120028732.7 | 申请日: | 2021-01-07 |
公开(公告)号: | CN214099594U | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 王泉龙;李琪;孙珠珠;周国栋 | 申请(专利权)人: | 徐州中辉光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 220000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种双轨高产能晶硅电池片抗光衰退火炉设备,属于电池片生产设备技术领域,一种双轨高产能晶硅电池片抗光衰退火炉设备,包括机体,机体的内底部固定有多个升降杆,升降杆的升降输出端固定有退火处理托盘,退火处理托盘上固定有两组电动输送滑轨,机体内部固定有多个均匀分布的加热单元,机体的外壁上固定有鼓风机,可以实现利用风冷和水冷两种冷却方式进行冷却,且通过特殊的喇叭形出风孔的设置,实现冷空气的均匀分布,提升冷却效率,并且出风孔和冷却水管的合理布置,能够使风冷和水冷有效配合,进一步提升净化效率,另外利用废气净化球显著的增大了废气与废气净化球的接触面积,提升废气的净化效率。 | ||
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【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造