[实用新型]一种刻蚀腔室有效
| 申请号： | 202120016175.7 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN213936114U | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黄海辉;郑亮;熊紫超;王磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种刻蚀腔室，包括：上电极，所述上电极耦接第一频率射频功率源；下电极，与所述上电极相对设置，所述下电极耦接第二频率射频功率源和第三频率射频功率源；边缘环，围绕所述下电极，所述边缘环耦接第四频率射频功率源；其中，所述第一频率大于所述第二频率、第三频率和第四频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 | ||
【主权项】：
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