[发明专利]闪存物理层的测试方法及闪存设备在审

专利信息
申请号: 202111672874.8 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114333960A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 陆震熙;黄运新 申请(专利权)人: 深圳大普微电子科技有限公司
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12;G11C29/14;G11C29/44
代理公司: 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 代理人: 陈金赏
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请实施例涉及存储设备应用领域,公开了一种闪存物理层的测试方法及闪存设备,该方法包括:将闪存控制器的闪存物理层与模拟颗粒的闪存物理层对接;由闪存控制器的闪存物理层向模拟颗粒的闪存物理层执行读操作,以使闪存控制器的闪存物理层获取模拟颗粒的闪存物理层发送的数据;若闪存控制器的闪存物理层获取的数据与模拟颗粒的闪存物理层发送的数据一致,则确定闪存控制器的闪存物理层的功能正常。通过设置一个模拟颗粒,将模拟颗粒的闪存物理层与闪存控制器的闪存物理层对接,若闪存控制器的闪存物理层获取的数据与模拟颗粒的闪存物理层发送的数据一致,则确定闪存控制器的闪存物理层的功能正常,本申请能够提高对闪存物理层的测试能力。
搜索关键词: 闪存 物理层 测试 方法 设备
【主权项】:
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