[发明专利]一种钝化接触结构的制备方法及应用方法

摘要

本发明公开一种钝化接触结构的制备方法及应用方法；其制备方法包括：对硅衬底进行微结构形貌处理；制备隧穿氧化层；使用中间为空心的第一载板装载硅衬底，再采用PVD法以向上沉积方式在隧穿氧化层的表面沉积第一掺杂非晶硅层；再使用图案化镂空的第二载板装载并掩盖第一掺杂非晶硅层的局部表面，然后采用PVD法以向上沉积方式在第一掺杂非晶硅层的表面选择性沉积第二掺杂非晶硅层；再经高温处理后，在仅沉积第一掺杂非晶硅层的区域形成第一掺杂区，并在沉积第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的区域形成第二掺杂区；进而制得具有选择性厚度和掺杂浓度的多晶硅的钝化接触结构，且该制备方法能使钝化接触结构的制备更方便、更精准、更高效。