[发明专利]一种适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构及制作方法

摘要

本申请公开了一种适用于UVC‑LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构及制作方法，首先清洁蓝宝石衬底并在衬底表面设置SiO2膜层，接着在SiO2膜层上设置光刻胶膜层，并通过光刻、显影的方式在SiO2膜层上形成周期不超过1000nm的光刻胶环形掩膜，然后采用BOE溶液在SiO2膜层上腐蚀形成凹坑，并通过干法刻蚀在凹坑处继续向下腐蚀，在蓝宝石衬底表面形成倒锥形凹坑，最后继续用BOE溶液腐蚀掉蓝宝石衬底表面残余的SiO2膜料，并将得到的纳米级图形化蓝宝石衬底清洗干净。通过本申请方法可制备得到目标纳米级图形化蓝宝石衬底，适用于UVC‑LED产品，且对比于凸台型图形衬底，更容易生长得到光滑的AlN外延层。