[发明专利]一种MgF2有效

专利信息
申请号: 202111633420.X 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114105642B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 刘兵;周梦飞;沙柯;黄玉辉;宋开新 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: C04B35/553 分类号: C04B35/553;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/634
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 黎双华
地址: 310016 浙江省杭州市杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及电子信息材料及其器件技术领域,尤其涉及一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用。本发明提供了MgF2陶瓷材料作为微波介质陶瓷的应用思路,MgF2陶瓷材料同时具备较高的热导率和超低的介电常数(4.60–4.70),解决了现有微波介质中陶瓷基材料的介电常数高、高分子基FR4热导率低的问题。而且MgF2陶瓷材料介电常数与商用的高分子基FR4板接近,同时具有FR4板不能比拟的超低介电损耗(Qf=85983–103086GHz),在未来毫米波通讯领域具有十分重大的应用前景。
搜索关键词: 一种 mgf base sub
【主权项】:
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