[发明专利]一种MgF2 有效
| 申请号： | 202111633420.X | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114105642B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;周梦飞;沙柯;黄玉辉;宋开新 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/553 | 分类号： | C04B35/553;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/634 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 黎双华 |
| 地址： | 310016 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mgf base sub | ||
1.一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：作为超低介微波介质陶瓷用于介质谐振器、或/和滤波器、或/和天线中；所述MgF2陶瓷具有超低的相对介电常数ε
2.根据权利要求1所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：所述MgF2陶瓷材料通过以下步骤制备：
压片：将MgF2粉末与粘结剂混合后压制为生坯；
烧结：将所述生坯烧结为陶瓷材料。
3.根据权利要求2所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：还包括后加工步骤：将烧结得到的陶瓷材料的两面进行研磨抛光处理。
4.根据权利要求2所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：所述粘结剂包括2-8wt%的聚乙烯醇溶液。
5.根据权利要求2所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：烧结时，烧结温度不超过1200℃。
6.根据权利要求2所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：烧结具体为：首先以5-15℃/min的速度将温度升至550-650℃保温0.5-1.5h；然后以3-8℃/min的速度升温至1100-1200℃烧结2-4h；烧结结束后以0.5-1.5℃/min的速度降温至750-850℃；最后自然冷却至室温。
7.根据权利要求2所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：所述MgF2粉末通过以下步骤制备：将MgF2原料与球磨珠、无水乙醇混合后湿法球磨12h以上，得到泥浆状原料；将所述泥浆状原料烘干至恒重后过180-220目筛网，得到所述MgF2粉末。
8.根据权利要求7所述的一种MgF2陶瓷材料的应用，其特征在于：所述MgF2原料的纯度不低于99.99%。
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