[发明专利]一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法有效
| 申请号： | 202111628138.2 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114388664B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王小兰;吴海锋;张建立;高江东;潘拴;郑畅达;莫春兰 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/12;H01L33/24 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，本发明通过在n型层和多量子阱层之间生长应力调控层和电导率调控层，控制氮化物半导体材料在电导率调控层的V形坑平台和侧壁的组分、厚度或掺杂浓度，使电导率调控层V形坑平台和侧壁电导率不同，调控电子在V形坑附近的输运途径。本发明通过调整V形坑平台和侧壁的厚度或掺杂浓度来调控其电导率，不引入新的制造工序，不增加LED的制造成本且不影响制造的合格率来调控载流子在有源区的输运途径，从而提高GaN基LED的发光效率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan 发光 器件 光电 转化 效率 生长 方法 | ||
【主权项】：
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