[发明专利]一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法有效
| 申请号： | 202111628138.2 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114388664B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王小兰;吴海锋;张建立;高江东;潘拴;郑畅达;莫春兰 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/12;H01L33/24 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan 发光 器件 光电 转化 效率 生长 方法 | ||
1.一种提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：在n型层和多量子阱层之间的位错端开启V形坑，生长应力调控层；升高温度，减小生长速率，在应力调控层上面生长电导率调控层，控制氮化物半导体材料在电导率调控层的V形坑平台和侧壁的组分、厚度或掺杂浓度，使电导率调控层的V形坑平台和侧壁电导率不同，从而调控电子在电导率调控层的V形坑附近的输运途径。
2.根据权利要求1所述的提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述应力调控层与电导率调控层的生长温度不一致，应力调控层的生长温度在800-1000度之间，电导率调控层的生长温度在850-1050度之间，电导率调控层的生长温度比应力调控层的生长温度高。
3.根据权利要求1所述的提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述应力调控层与电导率调控层的生长速率不一致，应力调控层的生长速率在1-1.5A/s之间，电导率调控层的生长速率在0.01-0.05A/s之间。
4.根据权利要求1所述的提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述应力调控层生长时掺Si，生长电导率调控层时不掺Si。
5.根据权利要求1所述的提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述电导率调控层的V形坑平台和侧壁的氮化物半导体材料为AlxGa1-xN，其中0≤x≤1。
6.根据权利要求1所述的提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述电导率调控层的V形坑平台和侧壁的氮化物半导体材料生长的厚度比值为r，其中0≤r≤0.3。
7.根据权利要求1所述的提高GaN基发光器件光电转化效率的生长方法，其特征在于：所述电导率调控层的V形坑平台和侧壁的氮化物半导体材料的掺杂和生长速率同时调控。
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