[发明专利]一种晶片刻蚀装置在审
| 申请号： | 202111627793.6 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114400192A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张丝柳;顾立勋;宋冬门 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 赵翠萍;浦彩华 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开一种晶片刻蚀装置，包括第一喷嘴，第一喷嘴包括：第一滑动组件、第二滑动组件和中间连接部；第一滑动组件与第二滑动组件分别位于中间连接部的上下两侧；第一滑动组件的侧壁与第二滑动组件的侧壁均能凸出于中间连接部的侧壁，以在第一滑动组件的下表面、中间连接部的侧壁和第二滑动组件的上表面之间围成用于容纳被刻蚀晶片的边缘的容纳槽；第一滑动组件与中间连接部的上表面滑动连接，第二滑动组件与中间连接部的下表面滑动连接，使第一滑动组件和第二滑动组件分别沿晶片的直径方向移动；第一滑动组件和第二滑动组件上分别设置有朝向容纳槽的第一出液口和第二出液口，第一出液口和第二出液口用于喷出刻蚀液体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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