[发明专利]基于二维金属硫化物和压电薄膜的压力传感器及制备方法在审
| 申请号： | 202111614225.2 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114279602A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 杨伟煌;金宁静;董林玺;刘超然;陈相硕;王高峰;周昌杰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 马聪 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于二维金属硫化物和压电薄膜的压力传感器及制备方法，压力传感器包括上层柔性结构和下层柔性结构，所述上层柔性结构包括上层柔性基底，上层柔性基底的下表面凸出有若干微结构，上层柔性基底的下表面附着有压电薄膜；所述下层柔性结构包括下层柔性基底，下层柔性基底的上表面附着有一层二维过渡金属硫化物导电涂层，二维过渡金属硫化物导电涂层上连接有电极，微结构处的压电薄膜与二维过渡金属硫化物导电涂层接触。二维过渡金属硫化物具有较高的载流子迁移率，对于外部电场变化具有较高灵敏度，将其与压电薄膜配合应用于本发明涉及的压力传感器，可以检测到更细微的压力，使压力传感器的响应范围更大，精度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 金属 硫化物 压电 薄膜 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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