[发明专利]一种改善漏源极漏电的屏蔽栅结构在审
| 申请号： | 202111609926.7 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114256332A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 冷德武;郭琴 | 申请（专利权）人： | 无锡瑞科维半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡科嘉知信专利代理事务所(普通合伙) 32515 | 代理人： | 顾翰林 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善漏源极漏电的屏蔽栅结构，包括有源区、包围有源区的终端区及栅极引线区；有源区中第一元胞沟槽长度大于第二元胞沟槽；终端区包括至少一个围绕元胞沟槽的终端沟槽，靠近元胞沟槽端部的终端沟槽一边均具有波浪形状，另一边为直线形状或为波浪形状，且靠近元胞沟槽这一端的每个波浪形状均位于相邻两个元胞沟槽之间，波浪形状的顶点位于正中间；在靠近栅极引线区拐角处，与第二元胞沟槽相邻的第一元胞沟槽设有至少一个波浪形状，且其位于第二元胞沟槽的端部和终端沟槽之间；通过在终端沟槽靠近有源区沟槽的一侧设置波形结构，强化该区域的耗尽层耗尽夹断的效果，使电场均匀分布，从而缓解漏电薄弱区的曲率，改善漏源极IDSS漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 漏源极 漏电 屏蔽 结构 | ||
【主权项】：
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