[发明专利]一种储备池元件的制备方法在审
| 申请号： | 202111593480.3 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114284431A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 许晓欣;孙文绚;余杰;赖锦茹;郑旭;董大年 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 100029 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于人工智能技术领域，尤其涉及一种储备池元件的制备方法。该方法包括以下步骤：a)在衬底上依次设置底电极层、介质层、阻变层和顶电极层，得到待退火储备池元件；b)将所述待退火储备池元件进行退火处理，得到储备池元件；所述退火处理的温度为300～700℃；所述退火处理的时间为30～100s。本发明提供的方法在制备得到储备池元件后对其进行了快速退火处理，快速退火后缺陷会再分布，形成更加稳定的膜层，同时还能在膜层中引入铁电O相。通过快速退火处理，可以有效降低储备池元件的功耗，提高计算准确率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 储备 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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