[发明专利]一种适用于GaN驱动芯片的自适应死区时间控制电路在审
申请号: | 202111592688.3 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114337233A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 常红;黄少卿;于文涛;顾明;席晓丽;耿镐;武嘉瑜;肖培磊;宣志斌;罗永波 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | H02M1/38 | 分类号: | H02M1/38;H02M1/08;H02M1/32 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨强;杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种适用于GaN驱动芯片的自适应死区时间控制电路,属于开关电源领域。通过实时检测开关节点SW的电压变化情况,产生控制信号,对高侧或低侧输入控制信号进行延迟,即在开关节点SW下降沿处,通过对低侧输入控制信号进行延迟,在开关节点SW上升沿处,通过对高侧输入控制信号进行延迟,从而产生死区时间,实现死区优化;解决了传统固定死区时间设置过长带来的较大的反向导通损耗问题,提高转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 gan 驱动 芯片 自适应 死区 时间 控制电路 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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