[发明专利]制作纳米孔的方法、纳米孔结构和单纳米孔传感器有效
| 申请号： | 202111588323.3 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114264800B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘泽文;洪浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N33/48 | 分类号： | G01N33/48;C23C14/16;C25F3/02;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/35;B82Y40/00;B82Y15/00;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵静 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了制作纳米孔的方法、纳米孔结构和单纳米孔传感器，制作纳米孔的方法，包括：提供硅片；形成第一掩膜层，形成第二掩膜层；形成第一图案化层，第一图案化层包括第一子凹槽；形成第二图案化层；形成第一刻蚀腔；形成第二刻蚀腔；形成金属层；形成第三刻蚀腔，以暴露位于锥尖的金属层；向第一刻蚀腔中加入电解质溶液，向第二刻蚀腔中加入电化学腐蚀溶液；对位于锥尖的金属层进行电化学腐蚀，以形成纳米孔。由此，可便于通过较为简便的方法制得具有极小尺寸的金属纳米孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 纳米 方法 结构 传感器 | ||
【主权项】：
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