[发明专利]一种低熔点三乙烯二胺晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 202111580992.6 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114394972A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张前;吕剑;杨建明;王为强;余秦伟;梅苏宁;惠丰;袁俊;李亚妮;李佳霖 | 申请（专利权）人： | 西安近代化学研究所 |
| 主分类号： | C07D487/08 | 分类号： | C07D487/08 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 金艳婷 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低熔点三乙烯二胺晶体及其制备方法，三乙烯二胺为球状纳米粒子结构，其X‑射线衍射图谱在衍射角2θ＝17.01±0.1、17.17±0.1、19.09±0.1、19.67±0.1、23.50±0.1、25.18±0.1、27.83±0.1、28.04±0.1、30.54±0.1、32.77±0.1、33.69±0.1、36.29±0.1、37.94±0.1、39.15±0.1、43.36±0.1、43.85±0.1、44.56±0.1、45.01±0.1、46.01±0.1、49.10±0.1、51.07±0.1、52.39±0.1、54.02±0.1度处有主要特征峰。本发明还公开了低熔点三乙烯二胺晶体的制备方法：将三乙烯二胺粗品加入到有机溶剂中，配制成三乙烯二胺含量为67％～73％的悬浊液；加入硅氧化物并分散均匀，再将晶浆固液分离，所得固体湿料干燥后得三乙烯二胺晶体；本发明的三乙烯二胺晶体具有更低的熔点，且吸湿率低，在聚氨酯合成领域及制药领域中更具优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔点 乙烯 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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