[发明专利]屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111567345.1 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114284342A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438 | 代理人： | 陈惠珠;苏维勤 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请是关于一种屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述源区由P型源区和N型源区组成，所述P型源区、所述N型源区和所述沟槽区依次沿所述基体区的顶面设置；在以所述衬底区指向所述漂移区的方向上，所述基体区的底面在所述P型源区上的投影面积小于或者等于所述P型源区的底面的面积；所述N型源区与所述沟槽区连接。当发生雪崩击穿时，空穴电流能够从基体区的底面沿最短的直线距离直接注入P型源区，使得空穴的移动路径变短，延缓寄生三极管的开启，提高了屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管的雪崩耐量。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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