[发明专利]电容器、CMOS图像传感器的制备方法及CMOS图像传感器在审
| 申请号： | 202111556566.9 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114242891A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王龙鑫;范晓;陈广龙;向超;余航 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种电容器、CMOS图像传感器的制备方法及CMOS图像传感器。所述电容器的制备方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有具有间隔且电学相连的第一垫和第二垫；所述衬底上形成有第一层间介质层，所述第一层间介质层内形成有沟槽，所述第一层间介质层上及所述沟槽内的侧壁和底部形成有电容层，所述电容层包括位于最下层的第一极板层以及最上层的第二极板层，所述沟槽内被所述电容层填充后形成第一开口；形成刻蚀缓冲层；去除所述第一开口之外区域的刻蚀缓冲层和电容层，暴露出第一层间介质层；以及形成第二层间介质层，在所述第二层间介质层内形成第一导电通道和第二导电通道，分别与所述沟槽底部的第二极板层和所述衬底内的第二垫电学相连。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 cmos 图像传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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