[发明专利]一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘在审

专利信息
申请号: 202111555463.0 申请日: 2021-12-17
公开(公告)号: CN114296645A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 张明;张志;张自达;车振来;李国超;陈长春;章雷 申请(专利权)人: 合肥大唐存储科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G11C16/04
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张建秀;解婷婷
地址: 230088 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本申请实施例公开了一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘。所述方法包括:在对Nand闪存中出错页进行重读时,记录已完成重读的每个出错页在预设的重读表中对应的偏移电压范围;获取同一偏移方向的至少两个出错页对应的偏移电压范围;根据同一偏移方向的出错页对应的偏移电压范围,确定每个偏移方向对应的偏移电压的目标范围;利用每个偏移方向的目标范围,对Nand闪存中未完成重读的出错页进行重读操作。
搜索关键词: 一种 nand 闪存 重读 方法 固态 硬盘
【主权项】:
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