[发明专利]太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 202111551835.2 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114649441A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 藤本贵久;浅谷刚;足立大辅;山本宪治 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种可以实现图案化的工艺的简略化并抑制性能降低的太阳能电池的制造方法。一种太阳能电池的制造方法，包含如下工序：层材料膜形成工序，在主面侧具有微细的凹凸结构的半导体基板(11)的主面侧形成第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)；抗蚀剂形成工序，在半导体基板(11)的主面侧的一部分区域中的第1半导体层的材料膜(25Z、23Z)上，形成抗蚀剂(90)；层形成工序，以抗蚀剂(90)为掩模，在一部分区域形成图案化后的第1半导体层。抗蚀剂形成工序中，使用图案印刷法，印刷包含树脂材料(91)和无机材料(92)的印刷材料并使其固化，从而形成抗蚀剂(90)，无机材料(92)的主成分粒子为扁平形状，主成分粒子的最大粒子长度比凹凸结构的最短顶点距离大。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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