[发明专利]一种提高二氧化锡-卤化铅钙钛矿界面电子传输效率的方法在审

专利信息
申请号: 202111537997.0 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN114373870A 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 邱建航;王立鹏;翟朝峰;邰凯平;姜辛 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于光伏器件制备领域,具体为一种提高二氧化锡‑卤化铅钙钛矿界面电子传输效率的方法。将L‑天冬氨酸盐分散至去离子水中,配置成L‑天冬氨酸盐溶液;将L‑天冬氨酸盐溶液旋涂于表面沉积有SnO2电子传输材料的导电玻璃基片上,在100~200℃下退火10~30分钟,得到L‑天冬氨酸盐‑SnO2薄膜;L‑天冬氨酸盐‑SnO2薄膜置于紫外臭氧清洗机中,处理10~30分钟;将卤化铅钙钛矿前驱体溶液滴于上述薄膜表面,浸渍5~10秒,之后启动旋涂机,滴加反极性溶剂,旋涂结束后,将基片置于加热台上热处理后制备卤化铅钙钛矿薄膜。由于L‑天冬氨酸在钙钛矿前驱体中的溶解度极低,L‑天冬氨酸分子得以保存在SnO2/卤化铅钙钛矿界面处,钝化界面缺陷,进而提高SnO2/卤化铅钙钛矿界面处的电子传输效率。
搜索关键词: 一种 提高 氧化 卤化 铅钙钛矿 界面 电子 传输 效率 方法
【主权项】:
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