[发明专利]一种提高二氧化锡-卤化铅钙钛矿界面电子传输效率的方法

权利要求书

1.一种提高二氧化锡-卤化铅钙钛矿界面电子传输效率的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)L-天冬氨酸盐溶液配置：将L-天冬氨酸盐溶解于去离子水中，室温搅拌0.5～2小时，得到L-天冬氨酸盐溶液；其中，L-天冬氨酸盐的摩尔浓度在0.05～0.5M之间；

(2)L-天冬氨酸盐-SnO₂薄膜的制备：将步骤(1)得到的L-天冬氨酸盐溶液旋涂于含有SnO₂电子传输材料的导电玻璃基片上，旋涂机转数为2000～4000rpm，旋涂时间为20～60秒；旋涂结束后，将所得基片在100～200℃下加热10～30分钟，得到L-天冬氨酸盐-SnO₂薄膜基片；

(3)L-天冬氨酸盐-SnO₂薄膜基片的处理：将步骤(2)得到的L-天冬氨酸盐-SnO₂薄膜基片置于紫外臭氧清洗机中，处理10～30分钟；

(4)SnO₂/卤化铅钙钛矿界面的钝化：将卤化铅钙钛矿前驱体溶液滴加于步骤(3)得到的薄膜基片上，浸渍5～10秒，之后启动旋涂机，滴加反极性溶剂，旋涂结束后，将所得基片置于加热台上热处理后，制备卤化铅钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的提高二氧化锡-卤化铅钙钛矿界面电子传输效率的方法，其特征在于，由于L-天冬氨酸在钙钛矿前驱体溶液中的溶解度极低，L-天冬氨酸分子得以保存在SnO₂/卤化铅钙钛矿界面处，钝化界面缺陷，进而提高SnO₂/卤化铅钙钛矿界面处的电子传输效率。

3.根据权利要求1所述的提高二氧化锡-卤化铅钙钛矿界面电子传输效率的方法，其特征在于，步骤(1)L-天冬氨酸盐溶液配置时，L-天冬氨酸盐为L-天冬氨酸钠盐(CAS编号：3792-50-5)、L-天冬氨酸钠盐一水合物(CAS编号：323194-76-9)、L-天冬氨酸单钾盐水合物(CAS编号：1115-63-5)、L-天冬氨酸镁盐(CAS编号：2068-80-6)或L-天冬氨酸半镁盐二水合物(215533-00-9)。

4.根据权利要求1所述的提高二氧化锡-卤化铅钙钛矿界面电子传输效率的方法，其特征在于，L-天冬氨酸在卤化铅钙钛矿前驱体溶液中具有低溶解度，滞留于SnO₂电子传输层与卤化铅钙钛矿层的界面处，在钙钛矿薄膜上旋涂Spiro-OMETAD空穴传输层、蒸镀金电极，制备下界面钝化的正型结构钙钛矿太阳能电池，该光伏器件下界面L-天冬氨酸分子的存在，使SnO₂/卤化铅钙钛矿的界面电子传输效率得到改善。