[发明专利]一种DFB半导体激光器在审
| 申请号： | 202111537461.9 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114256740A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张敏明;田琦;刘德明;韩宇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/22;H01S5/24 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 胡秋萍 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DFB半导体激光器，属于半导体器件领域，包括：自下往上依次外延生长的n面电极、衬底、n型下包层、有源区、光栅层、p型上包层、脊波导和p面电极，有源区为多量子阱结构；脊波导的两侧刻蚀有彼此对称的沟槽区，沟槽区穿过有源区，用于提高DFB半导体激光器的调制带宽。常温下，双沟槽区通过提高光场限制因子来提高驰豫振荡频率，且降低寄生电容，高温下，双沟槽区通过降低载流子扩散来提高驰豫振荡频率，从而在常温和高温下均能提高调制带宽。制作工艺简单，且沟槽区距离光场较远，不会因含铝材料的刻蚀引发可靠性问题，在不影响激光器性能及可靠性的基础上，提高DFB半导体激光器的调制带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dfb 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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